Справочник транзисторов. 2SA715WT

 

Биполярный транзистор 2SA715WT Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SA715WT
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 35
   Корпус транзистора: TO126
 

 Аналог (замена) для 2SA715WT

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SA715WT Datasheet (PDF)

 8.1. Size:29K  hitachi
 2sa715.pdf pdf_icon

2SA715WT

2SA715Silicon PNP EpitaxialApplicationLow frequency power amplifier complementary pair with 2SC1162OutlineTO-126 MOD1. Emitter2. Collector3. Base123Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol Rating UnitCollector to base voltage VCBO 35 VCollector to emitter voltage VCEO 35 VEmitter to base voltage VEBO 5 VCollector current IC 2.5 ACollector

 8.2. Size:188K  jmnic
 2sa715.pdf pdf_icon

2SA715WT

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA715 DESCRIPTION With TO-126 package Complement to type 2SC1162 APPLICATIONS Low frequency power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base 3 BaseAbsolute Maximun Ratings (Ta=25) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNITVCBO Collector-base volta

 8.3. Size:548K  blue-rocket-elect
 2sa715f.pdf pdf_icon

2SA715WT

2SA715F(BR3CA715QF) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-126F PNP Silicon PNP transistor in a TO-126F Plastic Package. / Features 2SC1162F(BR3DA1162QF) Complementary pair with 2SC1162F(BR3DA1162QF). / Applications Low frequency power amplifier applications.

 8.4. Size:197K  inchange semiconductor
 2sa715.pdf pdf_icon

2SA715WT

isc Silicon PNP Power Transistor 2SA715DESCRIPTIONGood Linearity of hFECollector-Emitter Breakdown Voltage-V = -35V (Min)(BR)CEOComplement to Type 2SC1162Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in low frequency power amplifierapplications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)SYMBOL PARAMETER

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N5401 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .

History: RN1414

 

 
Back to Top

 


 
.