Биполярный транзистор 2SA817AY - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SA817AY
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.4 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 14 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
Корпус транзистора: TO92
2SA817AY Datasheet (PDF)
2sa817a to-92mod.pdf
2SA817A TO-92MOD Transistor (PNP)TO-92MOD1. EMITTER 1 22. COLLECTOR 3 3. BASE 5.8006.200Features 8.4008.800 Complementary to 2SC1627A. 0.9001.100 Driver Stage Application of 30 to 0.4000.60035 Watts Amplifiers. 13.80014.2001.500 TYP2.900 Dimensions in inches and (millimeters)MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) 3.1000.000 1.600
2sa817.pdf
2SA817 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) 2SA817 Audio Frequency Amplifier Applications Unit: mm Complementary to 2SC1627. Suitable for driver of 20~25 watts audio amplifiers. Maximum Ratings (Ta == 25C) ==Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO -80 VCollector-emitter voltage VCEO -80 VEmitter-base voltage VEB
Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N3055 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050