Справочник транзисторов. 2SA817AY

 

Биполярный транзистор 2SA817AY Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SA817AY
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.4 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 14 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
   Корпус транзистора: TO92
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

2SA817AY Datasheet (PDF)

 7.1. Size:173K  toshiba
 2sa817a.pdf pdf_icon

2SA817AY

 7.2. Size:232K  lge
 2sa817a to-92mod.pdf pdf_icon

2SA817AY

2SA817A TO-92MOD Transistor (PNP)TO-92MOD1. EMITTER 1 22. COLLECTOR 3 3. BASE 5.8006.200Features 8.4008.800 Complementary to 2SC1627A. 0.9001.100 Driver Stage Application of 30 to 0.4000.60035 Watts Amplifiers. 13.80014.2001.500 TYP2.900 Dimensions in inches and (millimeters)MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) 3.1000.000 1.600

 8.1. Size:209K  toshiba
 2sa817.pdf pdf_icon

2SA817AY

2SA817 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) 2SA817 Audio Frequency Amplifier Applications Unit: mm Complementary to 2SC1627. Suitable for driver of 20~25 watts audio amplifiers. Maximum Ratings (Ta == 25C) ==Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO -80 VCollector-emitter voltage VCEO -80 VEmitter-base voltage VEB

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: 2SC3357E | 2N6306T3 | 2SA557 | MMBT2907A-MS | 2SB1179 | 2SA808 | 2N2127

 

 
Back to Top

 


 
.