2SA893AE datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SA893AE  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 800

Корпус транзистора: TO92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SA893AE

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SA893AE даташит

 8.1. Size:24K  hitachi
 2sa893.pdf pdf_icon

2SA893AE

2SA893, 2SA893A Silicon PNP Epitaxial Application Low frequency high voltage amplifier Complementary pair with 2SC1890/A Outline TO-92 (1) 1. Emitter 2. Collector 3. Base 3 2 1 2SA893, 2SA893A Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Item Symbol 2SA893 2SA893A Unit Collector to base voltage VCBO 90 120 V Collector to emitter voltage VCEO 90 120 V Emitter to b

Другие транзисторы: 2SA89, 2SA890, 2SA891, 2SA892, 2SA893, 2SA893A, 2SA893AC, 2SA893AD, 2N3055, 2SA893AF, 2SA893C, 2SA893D, 2SA893E, 2SA893F, 2SA894, 2SA895, 2SA896