Биполярный транзистор 2SA917
Даташит. Аналоги
Наименование производителя: 2SA917
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 125
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 70
MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7
pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
Корпус транзистора:
TO92
Аналог (замена) для 2SA917
-
подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам
2SA917
Datasheet (PDF)
9.5. Size:105K jmnic
2sa914.pdf 
Product Specification www.jmnic.com Silicon PNP Power Transistors 2SA914 DESCRIPTION With TO-126 package Complement to type 2SC1953 Good linearity of hFE High VCEO APPLICATIONS For audio frequency power pre-amplifier PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base 3 BaseAbsolute Maximun Ratings (Ta=25) SYMBOL PARAMETER CON
9.6. Size:125K jmnic
2sa913 2sa913a.pdf 
Product Specification www.jmnic.com Silicon PNP Power Transistors 2SA913 2SA913A DESCRIPTION With TO-220 package Complement to type 2SC1913/1913A Large collector power dissipation High VCEO APPLICATIONS Audio frequency high power driver PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base 3 BaseFig.1 simplified outline (TO-220) and sy
9.7. Size:177K inchange semiconductor
2sa914.pdf 
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA914 DESCRIPTION With TO-126 package Complement to type 2SC1953 Good linearity of hFE High VCEOAPPLICATIONS For audio frequency power pre-amplifier PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base 3 BaseAbsolute Maximun Ratings (Ta=25) SYMBOL PARAM
9.8. Size:205K inchange semiconductor
2sa913.pdf 
isc Silicon PNP Power Transistor 2SA913DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage: V = -150V(Min)(BR)CEOComplement to Type 2SC1913Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for AF high power dirver applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage -1
9.9. Size:139K inchange semiconductor
2sa913 2sa913a.pdf 
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA913 2SA913A DESCRIPTION With TO-220 package Complement to type 2SC1913/1913A Large collector power dissipation High VCEO APPLICATIONS Audio frequency high power driver PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (TO-220) and s
Другие транзисторы... 2SA909
, 2SA911
, 2SA912
, 2SA913
, 2SA913A
, 2SA914
, 2SA915
, 2SA916
, B772
, 2SA918
, 2SA919
, 2SA92
, 2SA920
, 2SA921
, 2SA922
, 2SA922-1
, 2SA922-2
.
History: 2N2815
| 2N1957
