Биполярный транзистор 2SA968A - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SA968A
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 180 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
Корпус транзистора: TO220
2SA968A Datasheet (PDF)
2sa968 2sa968a 2sa968b.pdf
JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA968 2SA968A 2SA968B DESCRIPTION With TO-220 package Complement to type 2SC2238 High breakdown votage APPLICATIONS Power amplifier applications Driver stage amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (TO-220) and symbol
2sa968 2sa968a 2sa968b.pdf
isc Silicon PNP Power Transistor 2SA968 A BDESCRIPTIONWith TO-220 packagingComplement to Type 2SC2238 A BMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSAC-DC motor controlElectronic ignitionAlternator regulatorABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNIT2SA968 -160V Collector-Base Voltage 2SA
2sa968 2sa968a2sa968b.pdf
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA968 2SA968A 2SA968B DESCRIPTION With TO-220 package Complement to type 2SC2238 High breakdown votage APPLICATIONS Power amplifier applications Driver stage amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (TO
2sa968.pdf
isc Silicon PNP Power Transistor 2SA968DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage: V = -160V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFEComplement to Type 2SC2238Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower amplifier applicationsDriver stage amplifier applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PA
2sa968b.pdf
INCHANGE Semiconductorisc Silicon PNP Power Transistor 2SA968BDESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage: V = -200V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFEComplement to Type 2SC2238BMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower amplifier applicationsDriver stage amplifier applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATIN
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050