Справочник транзисторов. 2SA97

 

Биполярный транзистор 2SA97 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 2SA97
   Тип материала: Ge
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.08 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.01 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 16 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: TO7

 Аналоги (замена) для 2SA97

 

 

2SA97 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:321K  toshiba
2sa970.pdf

2SA97
2SA97

2SA970 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) 2SA970 Low Noise Audio Amplifier Applications Unit: mm Low noise: NF = 3dB (typ.) RG = 100 , V = -6 V, I = -100 A, CE C f = 1 kHz : NF = 0.5dB (typ.) R = 1 k, V = -6 V, I = -100 A, G CE C f = 1 kHz High DC current gain: h = 200~700 FE High breakdown voltage: V = -120 V CEO

 0.2. Size:55K  no
2sa979.pdf

2SA97

 0.3. Size:148K  jmnic
2sa971.pdf

2SA97
2SA97

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA971 DESCRIPTION With TO-3 package Excellent safe operating area APPLICATIONS For high power audio ,stepping motor and other linear applications Relay or solenoid drviers DC-DC converters inverters PINNING(see Fig.2) PIN DESCRIPTION1 Base 2 EmitterFig.1 simplified outline (TO-3) and symbol 3 Coll

 0.4. Size:537K  jilin sino
2sa970.pdf

2SA97
2SA97

PNP PNP Epitaxial Silicon Transistor R2SA970 (PNP) APPLICATIONS Low noise audio amplifier applications FEATURES V =-120V (min) High collector voltageV =-120V (min) CEO CEO 2SC2240 Complementary 2SC2240 High DC current gain

 0.5. Size:971K  blue-rocket-elect
2sa970.pdf

2SA97
2SA97

2SA970 Rev.E Mar.-2016 DATA SHEET / Descriptions TO-92 PNP Silicon PNP transistor in a TO-92 Plastic Package. / Features ,,Low noise, high DC current gain, high breakdown voltage. / Applications Low noise audio amplifier applications.

 0.6. Size:192K  inchange semiconductor
2sa971.pdf

2SA97
2SA97

isc Silicon PNP Power Transistor 2SA971DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -150V(Min.)(BR)CEOHigh Power DissipationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for general purpose applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage -150 VC

Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2N3906 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .

 

 
Back to Top