Справочник транзисторов. 2SB1017R

 

Биполярный транзистор 2SB1017R Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SB1017R
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 9 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 130 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: TO220
 

 Аналог (замена) для 2SB1017R

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB1017R Datasheet (PDF)

 7.1. Size:63K  utc
2sb1017.pdfpdf_icon

2SB1017R

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SB1017 Preliminary PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC 2SB1017 is a PNP silicon epitaxial transistor suited to be used in power amplifier applications. FEATURES * Low base drive ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment Package Packing Lead Free Halogen Free 1 2 32SB1017L-

 7.2. Size:33K  no
2sb1017.pdfpdf_icon

2SB1017R

 7.3. Size:208K  jmnic
2sb1017.pdfpdf_icon

2SB1017R

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB1017 DESCRIPTION With TO-220Fa package Complement to type 2SD1408 APPLICATIONS For power amplifications Recommended for 20-25W high-fidelity audio frequency amplifier output stage PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter 2 Collector3 BaseAbsolute maximum ratings(Ta=25) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VAL

 7.4. Size:217K  inchange semiconductor
2sb1017.pdfpdf_icon

2SB1017R

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB1017DESCRIPTIONLow Collector Saturation Voltage-: V = -1.7V(Max)@I = -3ACE(sat) CGood Linearity of hFEComplement to Type 2SD1408Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for power amplifier applications.Recommended for 20~25W high-fidelity audio frequencyamplifie

Другие транзисторы... 2SB1015O , 2SB1015Y , 2SB1016 , 2SB1016O , 2SB1016R , 2SB1016Y , 2SB1017 , 2SB1017O , 2SA1943 , 2SB1017Y , 2SB1018 , 2SB1018O , 2SB1018Y , 2SB1019 , 2SB1019O , 2SB1019Y , 2SB102 .

History: MP1531A | NTE2338 | BDX67L | KT6117A | DTC143ZN3 | TEC8012E | KTA2014E

 

 
Back to Top

 


 
.