Биполярный транзистор 2SB1121U - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SB1121U
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 32 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 280
Корпус транзистора: SOT89
2SB1121U Datasheet (PDF)
2sb1121.pdf
Ordering number : EN1787B2SB1121 / 2SD1621SANYO SemiconductorsDATA SHEETPNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SB1121 / 2SD1621High-Current Driver ApplicationsApplications Voltage regulators, relay drivers, lamp drivers, electrical equipment.Features Adoption of FBET, MBIT processes. Low collector-to-emitter saturation voltage. Large current capacity
2sb1121.pdf
Ordering number : EN1787C 2SB1121 Bipolar Transistor http://onsemi.com -25V, -2A, Low VCE(sat) PNP Single PCPApplications Voltage regulators, relay drivers, lamp drivers, electrical equipment Features Adoption of FBET, MBIT processes Low collector to emitter saturation voltage Large current capacity and wide SOA Fast switching speed Ultrasmall size ma
2sb1121.pdf
SMD Type TransistorsPNP Transistors2SB11211.70 0.1 Features Low collector-to-emitter saturation voltage. Large current capacity and wide ASO. Fast switching speed.0.42 0.10.46 0.1 Complementary to 2SD16211.Base2.Collector3.Emitter Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO -30 Collector -
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
