Биполярный транзистор 2SB1122R - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SB1122R
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: SOT89
2SB1122R Datasheet (PDF)
2sb1122.pdf
Ordering number : EN2040B2SB1122 / 2SD1622SANYO SemiconductorsDATA SHEETPNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SB1122 / 2SD1622Low-Frequency Power Amplifier ApplicationsApplications Voltage regulators relay drivers, lamp drivers, electrical equipment.Features Adoption of FBET process. Ultrasmall size making it easy to provide high-density hybrid ICs.S
2sb1122.pdf
Ordering number : EN2040C2SB1122Bipolar Transistorhttp://onsemi.com ( )50V, 1A, Low VCE sat PNP Single PCPApplicaitons Voltage regulators relay drivers, lamp drivers, electrical equipmentFeatures Adoption of FBET process Ultrasmall size making it easy to provide high-density hybrid ICsSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol
2sb1122.pdf
SMD Type ICPNP Transistors2SB1122 Features1.70 0.1 Very small size making it easy to provide high highdensity, small-sized hybrid ICs. Complementary to 2SD16220.42 0.10.46 0.11.Base2.Collector3.Emitter Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO -60 Collector - Emitter Voltage VCEO -50 V Emitter
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
