Справочник транзисторов. 2SB1123T

 

Биполярный транзистор 2SB1123T - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 2SB1123T
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 22 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
   Корпус транзистора: SOT89

 Аналоги (замена) для 2SB1123T

 

 

2SB1123T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:702K  cn shikues
2sb1123s 2sb1123t.pdf

2SB1123T 2SB1123T

2SB1123PNP-Silicon General use Transistors1W 1.5A25V 4 2 1 3ApplicationsCan be used for switching and amplifying in various SOT-89 electrical and electronic circuit. Maximum ratings Parameters Symbol Rating UnitV VCEO 25Collector-emitter voltage (IB=0) VCBO 40 VCollector-base voltageIE=0 VEBO 6 VEmitter-base voltageIC=0 IC 1.5 ACollect

 7.1. Size:114K  sanyo
2sb1123.pdf

2SB1123T 2SB1123T

 7.2. Size:99K  sanyo
2sb1123 2sd1623.pdf

2SB1123T 2SB1123T

Ordering number : EN1727E2SB1123 / 2SD1623SANYO SemiconductorsDATA SHEETPNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SB1123 / 2SD1623High-Current Switching ApplicationsApplications Voltage regulators, relay drivers, lamp drivers, electrical equipment.Features Adoption of FBET, MBIT processes. Low collector-to-emitter saturation voltage. Large current capaci

 7.3. Size:370K  onsemi
2sb1123 2sd1623.pdf

2SB1123T 2SB1123T

Ordering number : EN1727F2SB1123/2SD1623Bipolar Transistorhttp://onsemi.com() () ( ) ( )50V, 2A, Low VCE sat , PNP NPN Single PCPApplicaitons Voltage regulators, relay drivers, lamp drivers, electrical equipmentFeatures Adoption of FBET, MBIT processes Low collector-to-emitter saturation voltage Large current capacity and wide ASO Fast switching sp

 7.4. Size:1130K  kexin
2sb1123.pdf

2SB1123T 2SB1123T

SMD Type TransistorsPNP Transistors2SB11231.70 0.1 Features Low collector-to-emitter saturation voltage. Large current capacity and wide ASO. Fast switching speed.0.42 0.10.46 0.1 Complementary to 2SD16231.Base2.Collector3.Emitter Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO -60 Collector -

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

 

 
Back to Top