2N1490 - параметры, поиск аналогов, даташиты транзистора

Биполярный транзистор 2N1490 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

   Наименование производителя: 2N1490
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 75 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 55 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
   Корпус транзистора: TO3

Аналоги (замена) для 2N1490

2N1490 Datasheet (PDF)

..1. Size:603K rca
2n1490.pdf

..2. Size:52K microsemi
2n1487 2n1488 2n1489 2n1490.pdf

TECHNICAL DATA NPN SILICON HIGH POWER TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/208 Devices Qualified Level 2N1487 2N1488 2N1489 2N1490 MAXIMUM RATINGS Ratings Symbol 2N1487 2N1488 Unit 2N1498 2N1490 Collector-Emitter Voltage 40 55 Vdc VCEO Collector-Base Voltage 60 100 Vdc VCBO Collector-Emitter Voltage 60 100 Vdc VCEX Emitter-Base Voltage 10 Vdc VEBO Base Current

9.1. Size:544K rca
2n1493.pdf