2SB1135R - описание и поиск аналогов

 

2SB1135R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SB1135R

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO220F

 Аналоги (замена) для 2SB1135R

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB1135R даташит

 7.1. Size:99K  sanyo
 2sb1135.pdf pdf_icon

2SB1135R

 7.2. Size:212K  jmnic
 2sb1135.pdf pdf_icon

2SB1135R

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB1135 DESCRIPTION With TO-220F package Complement to type 2SD1668 Low collector saturation voltage Wide ASO APPLICATIONS Relay drivers High speed inverters;converters General high current switching application PINNING PIN DESCRIPTION 1 Emitter 2 Collector Fig.1 simplified outline (TO-220F) and

 7.3. Size:213K  inchange semiconductor
 2sb1135.pdf pdf_icon

2SB1135R

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB1135 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -50V(Min) (BR)CEO Low Collector Saturation Voltage- V = -0.4V(Max.)@ I = -4A CE(sat) C Complement to Type 2SD1668 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for relay drivers, high-speed inverters, and other genera

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SB1133R, 2SB1133S, 2SB1134, 2SB1134Q, 2SB1134R, 2SB1134S, 2SB1135, 2SB1135Q, TIP41, 2SB1135S, 2SB1136, 2SB1136Q, 2SB1136R, 2SB1136S, 2SB1137, 2SB114, 2SB1140

 

 

 

 

↑ Back to Top
.