Справочник транзисторов. 2SB1135R

 

Биполярный транзистор 2SB1135R Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SB1135R
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: TO220F
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

2SB1135R Datasheet (PDF)

 7.1. Size:99K  sanyo
 2sb1135.pdf pdf_icon

2SB1135R

 7.2. Size:212K  jmnic
 2sb1135.pdf pdf_icon

2SB1135R

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB1135 DESCRIPTION With TO-220F package Complement to type 2SD1668 Low collector saturation voltage Wide ASO APPLICATIONS Relay drivers High speed inverters;converters General high current switching application PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter 2 CollectorFig.1 simplified outline (TO-220F) and

 7.3. Size:213K  inchange semiconductor
 2sb1135.pdf pdf_icon

2SB1135R

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB1135DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -50V(Min)(BR)CEOLow Collector Saturation Voltage-: V = -0.4V(Max.)@ I = -4ACE(sat) CComplement to Type 2SD1668Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for relay drivers, high-speed inverters, and othergenera

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: 2SA1471 | 2N2600A | 2SA1539 | 92PU200 | KT657V-2 | RT3P77M | CSC2001LAI

 

 
Back to Top

 


 
.