Биполярный транзистор 2SB1135R - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SB1135R
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: TO220F
2SB1135R Datasheet (PDF)
2sb1135.pdf
JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB1135 DESCRIPTION With TO-220F package Complement to type 2SD1668 Low collector saturation voltage Wide ASO APPLICATIONS Relay drivers High speed inverters;converters General high current switching application PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter 2 CollectorFig.1 simplified outline (TO-220F) and
2sb1135.pdf
isc Silicon PNP Power Transistor 2SB1135DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -50V(Min)(BR)CEOLow Collector Saturation Voltage-: V = -0.4V(Max.)@ I = -4ACE(sat) CComplement to Type 2SD1668Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for relay drivers, high-speed inverters, and othergenera
Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , TIP35C , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050