Биполярный транзистор 2SB1136S - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SB1136S
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 140
Корпус транзистора: TO220F
2SB1136S Datasheet (PDF)
2sb1136.pdf
JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB1136 DESCRIPTION With TO-220F package Complement to type 2SD1669 Low collector saturation voltage Wide ASO APPLICATIONS Relay drivers High speed inverters,converters General high current switching applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter 2 CollectorFig.1 simplified outline (TO-220F) and
2sb1136.pdf
INCHANGE Semiconductorisc Silicon PNP Power Transistor 2SB1136DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -50V(Min)(BR)CEOLow Collector Saturation Voltage-: V = -0.4V(Max.)@ I = -6ACE(sat) CComplement to Type 2SD1669Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for relay drivers,high-speed inver
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050