Биполярный транзистор 2SB1186A - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SB1186A
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 25 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 90
Корпус транзистора: TO220
2SB1186A Datasheet (PDF)
2sb1275 2sb1236a 2sb1569a 2sb1186a 2sd2211 2sd1918 2sd1857a 2sd2400a 2sd1763a.pdf
2SB1275 / 2SB1236A / 2SB1569A / 2SB1186ATransistorsTransistors2SD2211 / 2SD1918 / 2SD1857A / 2SD2400A / 2SD1763A(96-612-A58)(96-744-C58)277
2sb1186a.pdf
JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB1186A DESCRIPTION With TO-220Fa package Low collector saturation votlage Complement to type 2SD1763A High breakdown voltage APPLICATIONS For use in low frequency power amplifer applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter 2 Collector3 BaseAbsolute maximum ratings(Ta=25) SYMBOL PARAMETER
2sb1186a.pdf
isc Silicon PNP Power Transistor 2SB1186ADESCRIPTIONHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -160V(Min.)(BR)CEOGood Linearity of hFEComplement to Type 2SD1763AMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower amplifier applications.Driver stage amplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)
2sb1186.pdf
JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB1186 DESCRIPTION With TO-220Fa package Low collector saturation votlage Complement to type 2SD1763 High breakdown voltage APPLICATIONS For use in low frequency power amplifer applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter 2 Collector3 BaseAbsolute maximum ratings(Ta=25) SYMBOL PARAMETER CO
2sb1186.pdf
INCHANGE Semiconductorisc Silicon PNP Power Transistor 2SB1186DESCRIPTIONHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -120V(Min.)(BR)CEOGood Linearity of hFEComplement to Type 2SD1763Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower amplifier applications.Driver stage amplifier applications.ABSOLUTE MAXIM
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050