2SB1197 - описание и поиск аналогов

 

2SB1197. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SB1197

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 165 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 75 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: TO236

 Аналоги (замена) для 2SB1197

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB1197 даташит

 ..1. Size:693K  secos
2sb1197.pdfpdf_icon

2SB1197

2SB1197 -0.8 A, -40 V PNP Epitaxial Planar Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen and lead free FEATURES SOT-23 Low VCE(sat).VCE(sat) -0.5V(IC / IB = -0.5A /-50mA) A IC =-0.8A L 3 Complements of the 2SD1781 3 Top View C B 1 1 2 CLASSIFICATION OF hFE 2 K E Product-Rank 2SB1197-P 2SB1197-Q 2SB1197-R

 ..2. Size:586K  jiangsu
2sb1197.pdfpdf_icon

2SB1197

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors 2SB1197 TRANSISTOR (PNP) SOT-23 FEATURES Unit mm 1. BASE Low VCE(sat).VCE(sat)

 ..3. Size:309K  htsemi
2sb1197.pdfpdf_icon

2SB1197

2SB1 1 97 TRANSISTOR(PNP) SOT-23 1. BASE Unit mm FEATURES 2. EMITTER 3. COLLECTOR Low VCE(sat).VCE(sat)

 ..4. Size:199K  lge
2sb1197 sot-23.pdfpdf_icon

2SB1197

2SB1197 SOT-23 Transistor(PNP) SOT-23 1. BASE 2. EMITTER 3. COLLECTOR Features Low VCE(sat).VCE(sat)

Другие транзисторы: 2SB119, 2SB1190, 2SB1191, 2SB1192, 2SB1193, 2SB1194, 2SB1195, 2SB1196, BD140, 2SB1198, 2SB1199, 2SB119A, 2SB12, 2SB120, 2SB1201, 2SB1201R, 2SB1201S

 

 

 

 

↑ Back to Top
.