2SB1198. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 2SB1198
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 165 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200
Корпус транзистора: TO236
Аналоги (замена) для 2SB1198
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
2SB1198 даташит
2sb1198.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SB1198 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR LOW FREQUENCY PNP TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC 2SB1198 is an epitaxial planar type PNP silicon transistor. FEATURES * High breakdown voltage BVCEO= -80V * Low VCE(sat) VCE(sat)= -0.2V (Typ) (IC/IB = -0.5A/-50mA) ORDERING INFORMATION Pin Assignment Ordering Number Package Packing
2sb1198.pdf
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors SOT-23 2SB1198 TRANSISTOR (PNP) FEATURES 1. BASE Low VCE(sat) 2. EMITTER High breakdown voltage 3. COLLECTOR MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage -80 V VCEO Collector-Emitter Voltage -80 V VEBO Emitter-Base Voltage -
2sb1198k.pdf
Transistors Low-frequency Transistor (*80V, *0.5A) 2SB1198K FFeatures FExternal dimensions (Unit s mm) 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = *0.2V (Typ.) (IC / IB = *0.5A / *50mA) 2) High breakdown voltage. BVCEO = *80V 3) Complements the 2SD1782K. FStructure Epitaxial planar type PNP silicon transistor SOT-89 FAbsolute maximum ratings (Ta = 25_C) FElectrical characteristics (Ta = 25_C)
2sb1198kfra.pdf
Transistors AEC-Q101 Qualified Low-frequency Transistor (*80V, *0.5A) 2SB1198KFRA 2SB1198K FFeatures FExternal dimensions (Unit s mm) 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = *0.2V (Typ.) (IC / IB = *0.5A / *50mA) 2) High breakdown voltage. BVCEO = *80V 2SD1782KFRA 3) Complements the 2SD1782K. FStructure Epitaxial planar type PNP silicon transistor FAbsolute maximum ratings (Ta = 25_C) FE
Другие транзисторы: 2SB1190, 2SB1191, 2SB1192, 2SB1193, 2SB1194, 2SB1195, 2SB1196, 2SB1197, TIP3055, 2SB1199, 2SB119A, 2SB12, 2SB120, 2SB1201, 2SB1201R, 2SB1201S, 2SB1201T
History: EN3502 | BTN2369A3 | H772
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
c535 transistor | irf3205 reemplazo | mpsu06 | кт630 | 2g381 transistor | 2sc2383 transistor equivalent | 2sd669 transistor | 75n65kdf






