2SB1198 - описание и поиск аналогов

 

2SB1198. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SB1198

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 165 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: TO236

 Аналоги (замена) для 2SB1198

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB1198 даташит

 ..1. Size:246K  utc
2sb1198.pdfpdf_icon

2SB1198

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SB1198 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR LOW FREQUENCY PNP TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC 2SB1198 is an epitaxial planar type PNP silicon transistor. FEATURES * High breakdown voltage BVCEO= -80V * Low VCE(sat) VCE(sat)= -0.2V (Typ) (IC/IB = -0.5A/-50mA) ORDERING INFORMATION Pin Assignment Ordering Number Package Packing

 ..2. Size:645K  jiangsu
2sb1198.pdfpdf_icon

2SB1198

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors SOT-23 2SB1198 TRANSISTOR (PNP) FEATURES 1. BASE Low VCE(sat) 2. EMITTER High breakdown voltage 3. COLLECTOR MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage -80 V VCEO Collector-Emitter Voltage -80 V VEBO Emitter-Base Voltage -

 0.1. Size:985K  rohm
2sb1198k.pdfpdf_icon

2SB1198

Transistors Low-frequency Transistor (*80V, *0.5A) 2SB1198K FFeatures FExternal dimensions (Unit s mm) 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = *0.2V (Typ.) (IC / IB = *0.5A / *50mA) 2) High breakdown voltage. BVCEO = *80V 3) Complements the 2SD1782K. FStructure Epitaxial planar type PNP silicon transistor SOT-89 FAbsolute maximum ratings (Ta = 25_C) FElectrical characteristics (Ta = 25_C)

 0.2. Size:965K  rohm
2sb1198kfra.pdfpdf_icon

2SB1198

Transistors AEC-Q101 Qualified Low-frequency Transistor (*80V, *0.5A) 2SB1198KFRA 2SB1198K FFeatures FExternal dimensions (Unit s mm) 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = *0.2V (Typ.) (IC / IB = *0.5A / *50mA) 2) High breakdown voltage. BVCEO = *80V 2SD1782KFRA 3) Complements the 2SD1782K. FStructure Epitaxial planar type PNP silicon transistor FAbsolute maximum ratings (Ta = 25_C) FE

Другие транзисторы: 2SB1190, 2SB1191, 2SB1192, 2SB1193, 2SB1194, 2SB1195, 2SB1196, 2SB1197, TIP3055, 2SB1199, 2SB119A, 2SB12, 2SB120, 2SB1201, 2SB1201R, 2SB1201S, 2SB1201T

 

 

 

 

↑ Back to Top
.