Справочник транзисторов. 2N1500-18

 

Биполярный транзистор 2N1500-18 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2N1500-18
   Тип материала: Ge
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.06 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 95 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: TO9
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

2N1500-18 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:175K  ixys
ixtt12n150 ixth12n150.pdfpdf_icon

2N1500-18

High Voltage VDSS = 1500VIXTT12N150ID25 = 12APower MOSFETIXTH12N150 RDS(on) 2.2 N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeTO-268 (IXTT)GSymbol Test Conditions Maximum RatingsSVDSS TJ = 25C to 150C 1500 VD (Tab)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 1500 VVGSS Continuous 30 VTO-247 (IXTH)VG

 9.2. Size:122K  ixys
ixth12n150 ixtt12n150.pdfpdf_icon

2N1500-18

High Voltage VDSS = 1500VIXTT12N150ID25 = 12APower MOSFETsIXTH12N150 RDS(on) 2 N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeTO-268 (IXTT)GSymbol Test Conditions Maximum RatingsSVDSS TJ = 25C to 150C 1500 VD (Tab)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 1500 VVGSS Continuous 30 VTO-247 (IXTH)VGSM Transient

 9.3. Size:142K  ixys
ixtt12n150hv.pdfpdf_icon

2N1500-18

High Voltage VDSS = 1500VIXTT12N150HVID25 = 12APower MOSFET RDS(on) 2.2 N-Channel Enhancement ModeFast Intrinsic DiodeTO-268HVGSymbol Test Conditions Maximum RatingsSVDSS TJ = 25C to 150C 1500 VD (Tab)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 1500 VG = Gate D = DrainVGSS Continuous 30 V

 9.4. Size:109K  ixys
ixth2n150l.pdfpdf_icon

2N1500-18

Advance Technical InformationLinearTM Power MOSFET VDSS = 1500VIXTH2N150LID25 = 2Aw/Extended FBSOA RDS(on) 15 N-Channel Enhancement ModeGuaranteed FBSOAAvalanche RatedTO-247GD (Tab)SSymbol Test Conditions Maximum RatingsG = Gate D = DrainVDSS TJ = 25C to 150C 1500 V S = Source Tab = DrainVDGR TJ = 25C to 150C

Другие транзисторы... 2N1496 , 2N1497 , 2N1499 , 2N1499A , 2N1499B , 2N149A , 2N150 , 2N1500 , C3198 , 2N1501 , 2N1502 , 2N1504 , 2N1504-10 , 2N1505 , 2N1506 , 2N1506A , 2N1507 .

History: 2SA1236 | 2SA1096A

 

 
Back to Top

 


 
.