Справочник транзисторов. 2N1506

 

Биполярный транзистор 2N1506 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2N1506
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
   Корпус транзистора: TO5
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

2N1506 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:175K  ixys
 ixtt12n150 ixth12n150.pdf pdf_icon

2N1506

High Voltage VDSS = 1500VIXTT12N150ID25 = 12APower MOSFETIXTH12N150 RDS(on) 2.2 N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeTO-268 (IXTT)GSymbol Test Conditions Maximum RatingsSVDSS TJ = 25C to 150C 1500 VD (Tab)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 1500 VVGSS Continuous 30 VTO-247 (IXTH)VG

 9.2. Size:122K  ixys
 ixth12n150 ixtt12n150.pdf pdf_icon

2N1506

High Voltage VDSS = 1500VIXTT12N150ID25 = 12APower MOSFETsIXTH12N150 RDS(on) 2 N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeTO-268 (IXTT)GSymbol Test Conditions Maximum RatingsSVDSS TJ = 25C to 150C 1500 VD (Tab)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 1500 VVGSS Continuous 30 VTO-247 (IXTH)VGSM Transient

 9.3. Size:142K  ixys
 ixtt12n150hv.pdf pdf_icon

2N1506

High Voltage VDSS = 1500VIXTT12N150HVID25 = 12APower MOSFET RDS(on) 2.2 N-Channel Enhancement ModeFast Intrinsic DiodeTO-268HVGSymbol Test Conditions Maximum RatingsSVDSS TJ = 25C to 150C 1500 VD (Tab)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 1500 VG = Gate D = DrainVGSS Continuous 30 V

 9.4. Size:109K  ixys
 ixth2n150l.pdf pdf_icon

2N1506

Advance Technical InformationLinearTM Power MOSFET VDSS = 1500VIXTH2N150LID25 = 2Aw/Extended FBSOA RDS(on) 15 N-Channel Enhancement ModeGuaranteed FBSOAAvalanche RatedTO-247GD (Tab)SSymbol Test Conditions Maximum RatingsG = Gate D = DrainVDSS TJ = 25C to 150C 1500 V S = Source Tab = DrainVDGR TJ = 25C to 150C

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2N150 , 2N1500 , 2N1500-18 , 2N1501 , 2N1502 , 2N1504 , 2N1504-10 , 2N1505 , 2SB817 , 2N1506A , 2N1507 , 2N1508 , 2N1509 , 2N150A , 2N1510 , 2N1511 , 2N1512 .

History: 2N5793 | 2SC3883 | BC183CP | BC183K | NB121HJ | 2N5606 | ME0401

 

 
Back to Top

 


 
.