2SB1335. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 2SB1335
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 6 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120
Корпус транзистора: TO220
Аналоги (замена) для 2SB1335
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
2SB1335 даташит
2sb1335.pdf
2SB1335 Transistors Transistors 2SD1855 (94L-356-B14) (94L-878-D14) 279
2sb1335.pdf
isc Silicon PNP Power Transistor 2SB1335 DESCRIPTION High Collector Current I = -4A C Low Collector Saturation Voltage V = -1.5V(Max)@I = -3A CE(sat) C Wide Area of Safe Operation Complement to Type 2SD1855 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for low frequency power amplifier applications. ABSOLUTE
Другие транзисторы: 2SB1323, 2SB1324, 2SB1325, 2SB1326, 2SB1327, 2SB132A, 2SB133, 2SB1334, BC546, 2SB1337, 2SB1338, 2SB1339, 2SB134, 2SB1340, 2SB1341, 2SB1342, 2SB1343
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
irf9540n datasheet | ss8050 | irfp4668 | mpsa56 | c3205 transistor | tip35c datasheet | 2n5401 datasheet | mj21194g