Биполярный транзистор 2SB1450
- описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SB1450
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5
MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 240
Корпус транзистора:
TO218
Аналоги (замена) для 2SB1450
2SB1450
Datasheet (PDF)
8.2. Size:130K nec
2sb1453.pdf DATA SHEETSILICON TRANSISTOR2SB1453PNP SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTORFOR HIGH-SPEED SWITCHINGThe 2SB1453 is a power transistor that can directly drive from PACKAGE DRAWING (UNIT: mm)the IC output. This transistor is ideal for motor drivers and solenoiddrivers in such as OA and FA equipment.In addition, a small resin-molded insulation type packagecontributes to high-density
8.3. Size:217K jmnic
2sb1455.pdf JMnic Product SpecificationSilicon PNP Power Transistors 2SB1455 DESCRIPTION With TO-220F package Complement to type 2SD2203 Low collector saturation voltage: Large current capacity APPLICATIONS High current power switching applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter 2 CollectorFig.1 simplified outline (TO-220F) and symbol3 BaseAbsolute maximum ratings
8.4. Size:217K inchange semiconductor
2sb1455.pdf isc Silicon PNP Power Transistor 2SB1455DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -80V(Min)(BR)CEOLow Collector Saturation Voltage-: V = -0.5V(Max)@ (I = -4A, I = -0.4A)CE(sat) C BComplement to Type 2SD2203Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high-current switching applications.AB
8.5. Size:217K inchange semiconductor
2sb1454.pdf isc Silicon PNP Power Transistor 2SB1454DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -80V(Min)(BR)CEOLow Collector Saturation Voltage-: V = -0.5V(Max)@ (I = -3A, I = -0.3A)CE(sat) C BComplement to Type 2SD2202Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high-current switching applications.AB
Другие транзисторы... 2N3200
, 2N3201
, 2N3202
, 2N3203
, 2N3204
, 2N3205
, 2N3206
, 2N3207
, B772
, 2N3209
, 2N3209AQF
, 2N3209CSM
, 2N3209DCSM
, 2N3209L
, 2N321
, 2N3210
, 2N3211
.