2SB147 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SB147  📄📄 

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.1 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SB147

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB147 даташит

 0.1. Size:261K  nec
 2sb1475.pdf pdf_icon

2SB147

 0.2. Size:67K  njs
 2sb1477.pdf pdf_icon

2SB147

 0.3. Size:68K  njs
 2sb1478.pdf pdf_icon

2SB147

 0.4. Size:53K  rohm
 2sb1474.pdf pdf_icon

2SB147

2SB1474 Transistor Power Transistor (-80V, -4A) 2SB1474 Features External dimensions (Units mm) 1) Darlington connection for a high hFE. 2) Built-in resistor between base and emitter. 5.5 1.5 3) Built-in damper doide. 0.9 C0.5 Absolute maximum ratings (Ta=25 C) 0.8Min. (1) Base(Gate) 1.5 2.5 (2) Collector(Drain) ROHM CPT3 9.5 Parameter Symbol Limits Unit (3) Emitter(Sour

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SB1455, 2SB1456, 2SB1457, 2SB146, 2SB1462, 2SB1463, 2SB1464, 2SB1466, BC556, 2SB1473, 2SB148, 2SB1481, 2SB1488, 2SB1489, 2SB149, 2SB1490, 2SB1494