KT8232A Datasheet, Equivalent, Cross Reference Search
Type Designator: KT8232A
Material of Transistor: Si
Polarity: NPN
Maximum Collector Power Dissipation (Pc): 125 W
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|: 350 V
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb|: 5 V
Maximum Collector Current |Ic max|: 20 A
Max. Operating Junction Temperature (Tj): 150 °C
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN: 300
Noise Figure, dB: -
Package: TO-3P
KT8232A Transistor Equivalent Substitute - Cross-Reference Search
KT8232A Datasheet (PDF)
1.1. kt8232a-b.pdf 
Size:103K _update_bjt
КТ8232 А, Б. N-P-N КРЕМН ИЕВЫЙ ВЫСО ВО ЫЙ СОСТАВНО Р КО ЛЬТНЫЙ МОЩН Й ТРАНЗИСТО Предназначен для применения в переключающих и импульсных схемах. Идеально подходит для электронных систем зажигания. Имеет встроенный диод
5.1. kt823a-b-v.pdf Size:402K _russia
5.2. kt8230.pdf Size:245K _integral
КТ8230А p-n-p кремниевый эпитаксиально-планарный биполярный транзистор Назначение Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы. Предназначены для применения в ключевых и линейных схемах, а также в уз
Datasheet: T2393 , T2415 , T2417 , T2418 , T2448 , T2452 , T2453 , T2454 , 8050 , T2469 , T2470 , T2471 , T2472 , T2478 , T2479 , T2490 , T2491 .
