MTDK5S6R MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MTDK5S6R
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.2 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.25 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 0.66 nC
Время нарастания (tr): 6 ns
Выходная емкость (Cd): 7.3 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.3 Ohm
Тип корпуса: SOT-363
MTDK5S6R Datasheet (PDF)
..1. Size:347K cystek
mtdk5s6r.pdf
mtdk5s6r.pdf
Spec. No. : C800S6R Issued Date : 2010.03.29 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.03.28 Page No. : 1/7 ESD protected Dual N-CHANNEL MOSFET BVDSS 30VMTDK5S6R ID 250mA1.3 VGS=4V, ID=10mA RDSON(TYP) 2.7 VGS=2.5V, ID=1mA Description Low voltage drive(2.5V drive) makes this device ideal for portable equipment. The MOSFET elements are independent, el
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
