MTDK5S6R Todos los transistores

 

MTDK5S6R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTDK5S6R
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.25 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 7.3 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-363
 

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MTDK5S6R Datasheet (PDF)

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MTDK5S6R

Spec. No. : C800S6R Issued Date : 2010.03.29 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.03.28 Page No. : 1/7 ESD protected Dual N-CHANNEL MOSFET BVDSS 30VMTDK5S6R ID 250mA1.3 VGS=4V, ID=10mA RDSON(TYP) 2.7 VGS=2.5V, ID=1mA Description Low voltage drive(2.5V drive) makes this device ideal for portable equipment. The MOSFET elements are independent, el

Otros transistores... MTD55N10Q8 , MTDA0N10J3 , MTDA0N10L3 , MTDA0P10FP , MTDA4N20J3 , MTDE5P10N3 , MTDK1S6R , MTDK3S6R , AON7410 , MTDN1034C6 , MTDN138ZS6R , MTDN3018S6R , MTDN3154C6 , MTDN4228Q8 , MTDN5820Z6 , MTDN6303S6R , MTDN7002ZHS6R .

History: WNM2016 | MTBA5C10AQ8 | NDT454P | IRFR214 | MTDA0P10FP | MTC8958G6 | MTB4D0N03ATV8

 

 
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