MTDK5S6R MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTDK5S6R

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.25 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 7.3 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.3 Ohm

Encapsulados: SOT-363

 Búsqueda de reemplazo de MTDK5S6R MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

MTDK5S6R datasheet

 ..1. Size:347K  cystek
 mtdk5s6r.pdf pdf_icon

MTDK5S6R

Spec. No. C800S6R Issued Date 2010.03.29 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.03.28 Page No. 1/7 ESD protected Dual N-CHANNEL MOSFET BVDSS 30V MTDK5S6R ID 250mA 1.3 VGS=4V, ID=10mA RDSON(TYP) 2.7 VGS=2.5V, ID=1mA Description Low voltage drive(2.5V drive) makes this device ideal for portable equipment. The MOSFET elements are independent, el

Otros transistores... MTD55N10Q8, MTDA0N10J3, MTDA0N10L3, MTDA0P10FP, MTDA4N20J3, MTDE5P10N3, MTDK1S6R, MTDK3S6R, SPP20N60C3, MTDN1034C6, MTDN138ZS6R, MTDN3018S6R, MTDN3154C6, MTDN4228Q8, MTDN5820Z6, MTDN6303S6R, MTDN7002ZHS6R