Справочник MOSFET. MTDK5S6R

 

MTDK5S6R MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MTDK5S6R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.25 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 0.66 nC
   trⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 7.3 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.3 Ohm
   Тип корпуса: SOT-363

 Аналог (замена) для MTDK5S6R

 

 

MTDK5S6R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:347K  cystek
 mtdk5s6r.pdf

MTDK5S6R MTDK5S6R

Spec. No. : C800S6R Issued Date : 2010.03.29 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.03.28 Page No. : 1/7 ESD protected Dual N-CHANNEL MOSFET BVDSS 30VMTDK5S6R ID 250mA1.3 VGS=4V, ID=10mA RDSON(TYP) 2.7 VGS=2.5V, ID=1mA Description Low voltage drive(2.5V drive) makes this device ideal for portable equipment. The MOSFET elements are independent, el

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top