Справочник MOSFET. MTDK5S6R

 

MTDK5S6R Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTDK5S6R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.25 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 7.3 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.3 Ohm
   Тип корпуса: SOT-363
 

 Аналог (замена) для MTDK5S6R

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTDK5S6R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:347K  cystek
 mtdk5s6r.pdf pdf_icon

MTDK5S6R

Spec. No. : C800S6R Issued Date : 2010.03.29 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.03.28 Page No. : 1/7 ESD protected Dual N-CHANNEL MOSFET BVDSS 30VMTDK5S6R ID 250mA1.3 VGS=4V, ID=10mA RDSON(TYP) 2.7 VGS=2.5V, ID=1mA Description Low voltage drive(2.5V drive) makes this device ideal for portable equipment. The MOSFET elements are independent, el

Другие MOSFET... MTD55N10Q8 , MTDA0N10J3 , MTDA0N10L3 , MTDA0P10FP , MTDA4N20J3 , MTDE5P10N3 , MTDK1S6R , MTDK3S6R , AON7410 , MTDN1034C6 , MTDN138ZS6R , MTDN3018S6R , MTDN3154C6 , MTDN4228Q8 , MTDN5820Z6 , MTDN6303S6R , MTDN7002ZHS6R .

History: 2SK1989 | ME4856-G | KND3404B | IRLL110TRPBF | HMS8N70I | NCE20P05J | IRF7324D1PBF

 

 
Back to Top

 


 
.