MTDK5S6R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTDK5S6R

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.25 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 7.3 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.3 Ohm

Тип корпуса: SOT-363

Аналог (замена) для MTDK5S6R

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTDK5S6R даташит

 ..1. Size:347K  cystek
 mtdk5s6r.pdf pdf_icon

MTDK5S6R

Spec. No. C800S6R Issued Date 2010.03.29 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.03.28 Page No. 1/7 ESD protected Dual N-CHANNEL MOSFET BVDSS 30V MTDK5S6R ID 250mA 1.3 VGS=4V, ID=10mA RDSON(TYP) 2.7 VGS=2.5V, ID=1mA Description Low voltage drive(2.5V drive) makes this device ideal for portable equipment. The MOSFET elements are independent, el

Другие IGBT... MTD55N10Q8, MTDA0N10J3, MTDA0N10L3, MTDA0P10FP, MTDA4N20J3, MTDE5P10N3, MTDK1S6R, MTDK3S6R, SPP20N60C3, MTDN1034C6, MTDN138ZS6R, MTDN3018S6R, MTDN3154C6, MTDN4228Q8, MTDN5820Z6, MTDN6303S6R, MTDN7002ZHS6R