P3055LDG MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: P3055LDG
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 48 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 25 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 12 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 15 nC
Время нарастания (tr): 6 ns
Выходная емкость (Cd): 200 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.09 Ohm
Тип корпуса: TO252
P3055LDG Datasheet (PDF)
p3055ldg.pdf
P3055LDGN-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID90m @VGS = 10V25V 12ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTC= 25 C12IDContinuous Drain CurrentTC= 100 C8 AIDM45Pulsed Drain Current1EASAvalanche Energy
p3055ldg.pdf
P3055LDGwww.VBsemi.twN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU0.007 at VGS = 10 V 5030 25 nC0.009 at VGS = 4.5 V 40APPLICATIONSD OR-ing ServerTO-252 DC/DCGG D SSTop ViewN-Channel MOSFETABSOL
php3055l 2.pdf
Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor PHP3055L Logic level FETGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode logic SYMBOL PARAMETER MAX. UNITlevel field-effect power transistor in aplastic envelope featuring high VDS Drain-source voltage 60 Vavalanche energy capability, stable ID Drain current (DC) 12 Ablocking voltage, fast switch
rfd3055le rfd3055lesm rfp3055le.pdf
RFD3055LE, RFD3055LESM, RFP3055LEData Sheet January 200211A, 60V, 0.107 Ohm, Logic Level, FeaturesN-Channel Power MOSFETs 11A, 60VThese N-Channel enhancement-mode power MOSFETs are rDS(ON) = 0.107manufactured using the latest manufacturing process Temperature Compensating PSPICE Modeltechnology. This process, which uses feature sizes approaching those of LSI
p3055llg.pdf
P3055LLGN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID25V 72m @VGS = 10V 6A SOT- 223ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSGate-Source Voltage VGS20 VTA = 25 C6IDContinuous Drain CurrentTA = 70 C3.3AIDM21Pulsed Drain Current2IASAvalanche Current 12Av
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFP450 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: NCE65TF130T | LTP70N06P | HY3506B | HY3506P | DP3080 | CRSS035N10N | CRST037N10N | S85N16S | S85N16RP | S85N16RN | S85N16R | S85N048S | S85N042S | S85N042RP | S85N042RN | S85N042R