Справочник MOSFET. P3055LDG

 

P3055LDG MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: P3055LDG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 48 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 25 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 12 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Время нарастания (tr): 6 ns

Выходная емкость (Cd): 200 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.09 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для P3055LDG

 

 

P3055LDG Datasheet (PDF)

1.1. p3055ldg.pdf Size:385K _unikc

P3055LDG
P3055LDG

P3055LDG N-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 90mΩ @VGS = 10V 25V 12A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 ° C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage ±20 V TC= 25 ° C 12 ID Continuous Drain Current TC= 100 ° C 8 A IDM 45 Pulsed Drain Current1 EAS Avalanche Energy

4.1. php3055l 2.pdf Size:51K _philips

P3055LDG
P3055LDG

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor PHP3055L Logic level FET GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode logic SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT level field-effect power transistor in a plastic envelope featuring high VDS Drain-source voltage 60 V avalanche energy capability, stable ID Drain current (DC) 12 A blocking voltage, fast switch

4.2. rfd3055le rfd3055lesm rfp3055le.pdf Size:414K _fairchild_semi

P3055LDG
P3055LDG

RFD3055LE, RFD3055LESM, RFP3055LE Data Sheet January 2002 11A, 60V, 0.107 Ohm, Logic Level, Features N-Channel Power MOSFETs • 11A, 60V These N-Channel enhancement-mode power MOSFETs are • rDS(ON) = 0.107Ω manufactured using the latest manufacturing process • Temperature Compensating PSPICE® Model technology. This process, which uses feature sizes approaching those of LSI

 4.3. p3055llg.pdf Size:354K _unikc

P3055LDG
P3055LDG

P3055LLG N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 25V 72mΩ @VGS = 10V 6A SOT- 223 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 ° C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Gate-Source Voltage VGS ±20 V TA = 25 ° C 6 ID Continuous Drain Current TA = 70 ° C 3.3 A IDM 21 Pulsed Drain Current2 IAS Avalanche Current 12 Av

Другие MOSFET... CED6861 , CED95P04 , CEF14P20 , CEF15P15 , CEF6601 , CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 , 2SK170 , CEH2331 , CEH3456 , CEM2163 , CEM2187 , CEM2281 , CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 .

 

 
Back to Top