P3055LDG datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: P3055LDG  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для P3055LDG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P3055LDG даташит

 ..1. Size:385K  unikc
 p3055ldg.pdf pdf_icon

P3055LDG

P3055LDG N-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 90m @VGS = 10V 25V 12A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 20 V TC= 25 C 12 ID Continuous Drain Current TC= 100 C 8 A IDM 45 Pulsed Drain Current1 EAS Avalanche Energy

 ..2. Size:843K  cn vbsemi
 p3055ldg.pdf pdf_icon

P3055LDG

P3055LDG www.VBsemi.tw N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU 0.007 at VGS = 10 V 50 30 25 nC 0.009 at VGS = 4.5 V 40 APPLICATIONS D OR-ing Server TO-252 DC/DC G G D S S Top View N-Channel MOSFET ABSOL

 8.1. Size:51K  philips
 php3055l 2.pdf pdf_icon

P3055LDG

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor PHP3055L Logic level FET GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode logic SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT level field-effect power transistor in a plastic envelope featuring high VDS Drain-source voltage 60 V avalanche energy capability, stable ID Drain current (DC) 12 A blocking voltage, fast switch

 8.2. Size:414K  fairchild semi
 rfd3055le rfd3055lesm rfp3055le.pdf pdf_icon

P3055LDG

RFD3055LE, RFD3055LESM, RFP3055LE Data Sheet January 2002 11A, 60V, 0.107 Ohm, Logic Level, Features N-Channel Power MOSFETs 11A, 60V These N-Channel enhancement-mode power MOSFETs are rDS(ON) = 0.107 manufactured using the latest manufacturing process Temperature Compensating PSPICE Model technology. This process, which uses feature sizes approaching those of LSI

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... P8315ATF, P8315BD, P8503BMA, P8503BMG, P3003EDG, P3004BD, P3004ND5G, P3010BV, IRFP460, P3055LLG, P3202CMA, P3202CMG, P3203CMG, P3203EVG, P3204HV, P3304EV, P3304QV