SKM195GB062D - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SKM195GB062D
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 700 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 230 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 150 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 1300 pF
Paquete / Cubierta: MODULE
- Selección de transistores por parámetros
SKM195GB062D Datasheet (PDF)
skm195gal062d skm195gb062d.pdf
SEMITRANS MAbsolute Maximum RatingsValuesPT-IGBT ModulesSymbol Conditions 1)UnitsVCES 600 VVCGR RGE = 20 k 600 V SKM 195 GB 062 DIC Tcase = 25/60 C 230 / 195 ASKM 195 GAL 062 D 6)ICM Tcase = 25/60 C; tp = 1 ms 460 / 390 AVGES 20 VPtot per IGBT, Tcase = 25 C 700 WTj, (Tstg) 40 ... +150 (125) CVisol AC, 1 min. 2 500 Vhumidity DIN 40 040 Class Fcl
Otros transistores... SKM150GB124D , SKM150GB125D , SKM150GB173D , SKM150GB174D , SKM195GAL062D , SKM195GAL063DN , SKM195GAL124DN , SKM195GAR063DN , GT30F124 , SKM195GB063DN , SKM195GB124DN , SKM200GA123D , SKM200GAL123D , SKM200GAL173D , SKM200GAR123D , SKM200GAR173D , SKM200GAX173D .
History: NCE50TD120VT | IXGT10N170 | MMG400Q060B6EN | 2MBI200TA-060 | IXGT10N170A | BSM100GB60DLC | STGE50NC60WD
History: NCE50TD120VT | IXGT10N170 | MMG400Q060B6EN | 2MBI200TA-060 | IXGT10N170A | BSM100GB60DLC | STGE50NC60WD
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
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