SKM195GB062D - параметры транзистора, его аналоги, Даташиты

SKM195GB062D - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: SKM195GB062D
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 700
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 230
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 2.1
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.5
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
   Время нарастания типовое (tr), nS: 150
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 1300
   Тип корпуса: MODULE

Аналог (замена) для SKM195GB062D

SKM195GB062D Datasheet (PDF)

..1. Size:137K semikron
skm195gal062d skm195gb062d.pdf

SEMITRANS MAbsolute Maximum RatingsValuesPT-IGBT ModulesSymbol Conditions 1)UnitsVCES 600 VVCGR RGE = 20 k 600 V SKM 195 GB 062 DIC Tcase = 25/60 C 230 / 195 ASKM 195 GAL 062 D 6)ICM Tcase = 25/60 C; tp = 1 ms 460 / 390 AVGES 20 VPtot per IGBT, Tcase = 25 C 700 WTj, (Tstg) 40 ... +150 (125) CVisol AC, 1 min. 2 500 Vhumidity DIN 40 040 Class Fcl

4.1. Size:668K semikron
skm195gal063dn skm195gar063dn skm195gb063dn.pdf