SKM200GAR123D - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SKM200GAR123D
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 1380
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 1200
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 200
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 2.5
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 6.5
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 100
Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 1500
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 1500
Paquete / Cubierta: MODULE
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SKM200GAR123D Datasheet (PDF)
skm200gar12e4.pdf
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SKM200GAR12E4Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values UnitIGBTVCES Tj =25C 1200 VIC Tc =25C 313 ATj = 175 CTc =80C 241 AICnom 200 AICRM ICRM = 3xICnom 600 AVGES -20 ... 20 VVCC = 800 VSEMITRANS 3tpsc VGE 15 V Tj =150C 10 sVCES 1200 VTj -40 ... 175 CIGBT4 ModulesInverse diodeIF Tc =25C 229 ATj = 175 CSKM200GAR12E4Tc =
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