SKM200GAR123D - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SKM200GAR123D
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1380 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 200 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.5 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 100 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 1500 pF
Paquete / Cubierta: MODULE
- Selección de transistores por parámetros
SKM200GAR123D Datasheet (PDF)
skm200gar12e4.pdf
SKM200GAR12E4Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values UnitIGBTVCES Tj =25C 1200 VIC Tc =25C 313 ATj = 175 CTc =80C 241 AICnom 200 AICRM ICRM = 3xICnom 600 AVGES -20 ... 20 VVCC = 800 VSEMITRANS 3tpsc VGE 15 V Tj =150C 10 sVCES 1200 VTj -40 ... 175 CIGBT4 ModulesInverse diodeIF Tc =25C 229 ATj = 175 CSKM200GAR12E4Tc =
Otros transistores... SKM195GAL124DN , SKM195GAR063DN , SKM195GB062D , SKM195GB063DN , SKM195GB124DN , SKM200GA123D , SKM200GAL123D , SKM200GAL173D , FGD4536 , SKM200GAR173D , SKM200GAX173D , SKM200GAY173D , SKM200GB063D , SKM200GB123D , SKM200GB124D , SKM200GB173D , SKM200GB174D .
History: AOB30B65LN2V | MMG200D120B6TC | APTGT75DA120D1
History: AOB30B65LN2V | MMG200D120B6TC | APTGT75DA120D1
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
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