SKM200GAR123D - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: SKM200GAR123D
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1380 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 200 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.5 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 100 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 1500 pF
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для SKM200GAR123D
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
SKM200GAR123D даташит
skm200gar12e4.pdf
SKM200GAR12E4 Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values Unit IGBT VCES Tj =25 C 1200 V IC Tc =25 C 313 A Tj = 175 C Tc =80 C 241 A ICnom 200 A ICRM ICRM = 3xICnom 600 A VGES -20 ... 20 V VCC = 800 V SEMITRANS 3 tpsc VGE 15 V Tj =150 C 10 s VCES 1200 V Tj -40 ... 175 C IGBT4 Modules Inverse diode IF Tc =25 C 229 A Tj = 175 C SKM200GAR12E4 Tc =
Другие IGBT... SKM195GAL124DN , SKM195GAR063DN , SKM195GB062D , SKM195GB063DN , SKM195GB124DN , SKM200GA123D , SKM200GAL123D , SKM200GAL173D , FGH60N60SMD , SKM200GAR173D , SKM200GAX173D , SKM200GAY173D , SKM200GB063D , SKM200GB123D , SKM200GB124D , SKM200GB173D , SKM200GB174D .
History: JT05N065RAD | FPF2G120BF07AS | AOK40B65H1 | IXXH75N60C3D1 | JT050K120F2MA1E
History: JT05N065RAD | FPF2G120BF07AS | AOK40B65H1 | IXXH75N60C3D1 | JT050K120F2MA1E
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
ac128 transistor | 2n3055 transistor | 2n3904 datasheet | irf3710 | tip3055 | mosfet datasheet | irf3205 datasheet | irf5210