SKM200GAR173D IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SKM200GAR173D
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1250 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1700 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 220 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.4 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 100 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 2000 pF
Encapsulados: MODULE
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SKM200GAR173D datasheet
skm200gar12e4.pdf
SKM200GAR12E4 Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values Unit IGBT VCES Tj =25 C 1200 V IC Tc =25 C 313 A Tj = 175 C Tc =80 C 241 A ICnom 200 A ICRM ICRM = 3xICnom 600 A VGES -20 ... 20 V VCC = 800 V SEMITRANS 3 tpsc VGE 15 V Tj =150 C 10 s VCES 1200 V Tj -40 ... 175 C IGBT4 Modules Inverse diode IF Tc =25 C 229 A Tj = 175 C SKM200GAR12E4 Tc =
Otros transistores... SKM195GAR063DN , SKM195GB062D , SKM195GB063DN , SKM195GB124DN , SKM200GA123D , SKM200GAL123D , SKM200GAL173D , SKM200GAR123D , GT50JR22 , SKM200GAX173D , SKM200GAY173D , SKM200GB063D , SKM200GB123D , SKM200GB124D , SKM200GB173D , SKM200GB174D , SKM200GBD123D1S .
History: MGP11N60E | JT020N135WED | 6MBP30VAA060-50 | FGPF15N60UNDF | IXGX82N120B3 | IXYB82N120C3H1 | FGA6530WDF
History: MGP11N60E | JT020N135WED | 6MBP30VAA060-50 | FGPF15N60UNDF | IXGX82N120B3 | IXYB82N120C3H1 | FGA6530WDF
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IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
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