Справочник IGBT. SKM200GAR173D

 

SKM200GAR173D - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SKM200GAR173D
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1250 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1700 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 220 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.4 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 100 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 2000 pF
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для SKM200GAR173D

 

 

SKM200GAR173D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:697K  semikron
 skm200gar173d.pdf

SKM200GAR173D SKM200GAR173D

 4.1. Size:644K  semikron
 skm200gar123d.pdf

SKM200GAR173D SKM200GAR173D

 4.2. Size:684K  semikron
 skm200gar12e4.pdf

SKM200GAR173D SKM200GAR173D

SKM200GAR12E4Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values UnitIGBTVCES Tj =25C 1200 VIC Tc =25C 313 ATj = 175 CTc =80C 241 AICnom 200 AICRM ICRM = 3xICnom 600 AVGES -20 ... 20 VVCC = 800 VSEMITRANS 3tpsc VGE 15 V Tj =150C 10 sVCES 1200 VTj -40 ... 175 CIGBT4 ModulesInverse diodeIF Tc =25C 229 ATj = 175 CSKM200GAR12E4Tc =

 4.3. Size:684K  semikron
 skm200gar125d.pdf

SKM200GAR173D SKM200GAR173D

Другие IGBT... SKM195GAR063DN , SKM195GB062D , SKM195GB063DN , SKM195GB124DN , SKM200GA123D , SKM200GAL123D , SKM200GAL173D , SKM200GAR123D , FGPF4536 , SKM200GAX173D , SKM200GAY173D , SKM200GB063D , SKM200GB123D , SKM200GB124D , SKM200GB173D , SKM200GB174D , SKM200GBD123D1S .

 

 
Back to Top