SKM200GB063D - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SKM200GB063D
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 875 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 260 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 70 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 1250 pF
Paquete / Cubierta: MODULE
- Selección de transistores por parámetros
SKM200GB063D Datasheet (PDF)
skm200gb12e4.pdf
SKM200GB12E4Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values UnitIGBTVCES 1200 VIC Tc =25C 314 ATj = 175 CTc =80C 242 AICnom 200 AICRM ICRM = 3xICnom 600 AVGES -20 ... 20 VVCC = 800 VSEMITRANS3tpsc VGE 15 V Tj = 150 C 10 sVCES 1200 VTj -40 ... 175 CIGBT4 ModulesInverse diodeIF Tc =25C 229 ATj = 175 CSKM200GB12E4Tc =80C 172 A
skm200gbd123d1s.pdf
SEMITRANS MAbsolute Maximum Ratings ValuesIGBT ModulesSymbol Conditions 1) UnitsV 1200 VCESSKM 200 GBD 123 D 1SV R = 20 k 1200 VCGR GEI T = 25/80 C 200 / 180 AC caseI Tcase = 25/80 C; tp = 1 ms 400 / 360 ACMVGES 20 VPtot per IGBT, Tcase = 25 C 1380 WT , (T ) 40 . . .+150 (125) Cj stgVisol AC, 1 min. 2 500 7) Vhumidity DIN 40 040 Class Fc
Otros transistores... SKM195GB124DN , SKM200GA123D , SKM200GAL123D , SKM200GAL173D , SKM200GAR123D , SKM200GAR173D , SKM200GAX173D , SKM200GAY173D , SGT50T65FD1PT , SKM200GB123D , SKM200GB124D , SKM200GB173D , SKM200GB174D , SKM200GBD123D1S , FGH50N6S2D , SKM22GD123D , SKM300GA123D .
History: STGP10NB60S
History: STGP10NB60S
Liste
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