SKM200GB123D IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SKM200GB123D
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1380 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 200 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.5 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 100 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 1500 pF
Encapsulados: MODULE
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SKM200GB123D datasheet
skm200gb12e4.pdf
SKM200GB12E4 Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values Unit IGBT VCES 1200 V IC Tc =25 C 314 A Tj = 175 C Tc =80 C 242 A ICnom 200 A ICRM ICRM = 3xICnom 600 A VGES -20 ... 20 V VCC = 800 V SEMITRANS 3 tpsc VGE 15 V Tj = 150 C 10 s VCES 1200 V Tj -40 ... 175 C IGBT4 Modules Inverse diode IF Tc =25 C 229 A Tj = 175 C SKM200GB12E4 Tc =80 C 172 A
skm200gb12t4.pdf
SKM200GB12T4 Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values Unit IGBT VCES 1200 V IC Tc =25 C 314 A Tj = 175 C Tc =80 C 242 A ICnom 200 A ICRM ICRM = 3xICnom 600 A VGES -20 ... 20 V VCC = 800 V SEMITRANS 3 tpsc VGE 15 V Tj = 150 C 10 s VCES 1200 V Tj -40 ... 175 C Fast IGBT4 Modules Inverse diode IF Tc =25 C 229 A Tj = 175 C SKM200GB12T4 Tc =80 C
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History: SKM400GAL124D | 6MBP100VDA120-50 | SKM200GAY173D
History: SKM400GAL124D | 6MBP100VDA120-50 | SKM200GAY173D
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