Справочник IGBT. SKM200GB123D

 

SKM200GB123D - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SKM200GB123D
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 1380
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1200
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 200
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 2.5
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.5
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
   Время нарастания типовое (tr), nS: 100
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 1500
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 1500
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для SKM200GB123D

 

 

SKM200GB123D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:635K  semikron
 skm200gb123d.pdf

SKM200GB123D SKM200GB123D

 4.1. Size:713K  semikron
 skm200gb124d.pdf

SKM200GB123D SKM200GB123D

 4.2. Size:378K  semikron
 skm200gb12e4.pdf

SKM200GB123D SKM200GB123D

SKM200GB12E4Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values UnitIGBTVCES 1200 VIC Tc =25C 314 ATj = 175 CTc =80C 242 AICnom 200 AICRM ICRM = 3xICnom 600 AVGES -20 ... 20 VVCC = 800 VSEMITRANS3tpsc VGE 15 V Tj = 150 C 10 sVCES 1200 VTj -40 ... 175 CIGBT4 ModulesInverse diodeIF Tc =25C 229 ATj = 175 CSKM200GB12E4Tc =80C 172 A

 4.3. Size:379K  semikron
 skm200gb12t4.pdf

SKM200GB123D SKM200GB123D

SKM200GB12T4Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values UnitIGBTVCES 1200 VIC Tc =25C 314 ATj = 175 CTc =80C 242 AICnom 200 AICRM ICRM = 3xICnom 600 AVGES -20 ... 20 VVCC = 800 VSEMITRANS3tpsc VGE 15 V Tj = 150 C 10 sVCES 1200 VTj -40 ... 175 CFast IGBT4 ModulesInverse diodeIF Tc =25C 229 ATj = 175 CSKM200GB12T4Tc =80C

 4.4. Size:684K  semikron
 skm200gb125d.pdf

SKM200GB123D SKM200GB123D

 4.5. Size:664K  semikron
 skm200gb126d.pdf

SKM200GB123D SKM200GB123D

 4.6. Size:446K  semikron
 skm200gb12v.pdf

SKM200GB123D SKM200GB123D

SKM200GB12VAbsolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values UnitIGBTVCES Tj =25C 1200 VIC Tc =25C 311 ATj = 175 CTc =80C 237 AICnom 200 AICRM ICRM = 3xICnom 600 AVGES -20 ... 20 VVCC = 720 VSEMITRANS 3tpsc VGE 20 V Tj =125C 10 sVCES 1200 VTj -40 ... 175 CInverse diodeIF Tc =25C 229 ATj = 175 CSKM200GB12VTc =80C 172 AIFnom

Другие IGBT... SKM200GA123D , SKM200GAL123D , SKM200GAL173D , SKM200GAR123D , SKM200GAR173D , SKM200GAX173D , SKM200GAY173D , SKM200GB063D , FGH60N60SMD , SKM200GB124D , SKM200GB173D , SKM200GB174D , SKM200GBD123D1S , FGH50N6S2D , SKM22GD123D , SKM300GA123D , SKM300GA173D .

 

 
Back to Top