SKM200GB173D Todos los transistores

 

SKM200GB173D - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SKM200GB173D
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1250 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1700 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 220 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.4 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 100 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 2000 pF
   Paquete / Cubierta: MODULE
     - Selección de transistores por parámetros

 

SKM200GB173D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:675K  semikron
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History: DM2G100SH6N | DF160R12W2H3_B11 | 2MBI150L-120 | MMG300D170B | 2MBI150L-060 | APT75GN60SDQ2G | IXGH40N120A2

 

 
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