SKM200GB173D - аналоги и описание IGBT

 

SKM200GB173D - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: SKM200GB173D

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1250 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1700 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 220 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.4 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 100 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 2000 pF

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для SKM200GB173D

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SKM200GB173D даташит

 ..1. Size:675K  semikron
skm200gb173d.pdfpdf_icon

SKM200GB173D

 4.1. Size:720K  semikron
skm200gb174d.pdfpdf_icon

SKM200GB173D

 4.2. Size:675K  semikron
skm200gb176d.pdfpdf_icon

SKM200GB173D

 5.1. Size:713K  semikron
skm200gb124d.pdfpdf_icon

SKM200GB173D

Другие IGBT... SKM200GAL173D , SKM200GAR123D , SKM200GAR173D , SKM200GAX173D , SKM200GAY173D , SKM200GB063D , SKM200GB123D , SKM200GB124D , SGT50T65FD1PT , SKM200GB174D , SKM200GBD123D1S , FGH50N6S2D , SKM22GD123D , SKM300GA123D , SKM300GA173D , SKM300GAL063D , SKM300GAL123D .

History: SKM200GAY173D | 6MBP100VDA120-50 | SKM400GAL124D

 

 

 

 

↑ Back to Top
.