SKM200GB173D Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: SKM200GB173D
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1250 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1700 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 220 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.4 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.2 V
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 100 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 2000 pF
Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 2000 nC
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для SKM200GB173D
SKM200GB173D Datasheet (PDF)
Другие IGBT... SKM200GAL173D , SKM200GAR123D , SKM200GAR173D , SKM200GAX173D , SKM200GAY173D , SKM200GB063D , SKM200GB123D , SKM200GB124D , SGT50T65FD1PT , SKM200GB174D , SKM200GBD123D1S , FGH50N6S2D , SKM22GD123D , SKM300GA123D , SKM300GA173D , SKM300GAL063D , SKM300GAL123D .
History: TT075U065FBC
History: TT075U065FBC
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
irf5210 | mj15024 | 2n2219 | tip42c | 2sc2240 | bc547 transistor equivalent | 2sa1943 | tip41c datasheet