SKM200GB174D Todos los transistores

 

SKM200GB174D IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SKM200GB174D

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1400 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1700 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 250 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.1 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 60 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 1500 pF

Encapsulados: MODULE

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SKM200GB174D datasheet

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SKM200GB174D

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