SKM200GB174D Todos los transistores

 

SKM200GB174D - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SKM200GB174D
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1400 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1700 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 250 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.1 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 60 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 1500 pF
   Paquete / Cubierta: MODULE
     - Selección de transistores por parámetros

 

SKM200GB174D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:720K  semikron
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