Справочник IGBT. SKM200GB174D

 

SKM200GB174D Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SKM200GB174D
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1400 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1700 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 250 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.1 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 60 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 1500 pF
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

SKM200GB174D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:720K  semikron
 skm200gb174d.pdf pdf_icon

SKM200GB174D

 4.1. Size:675K  semikron
 skm200gb173d.pdf pdf_icon

SKM200GB174D

 4.2. Size:675K  semikron
 skm200gb176d.pdf pdf_icon

SKM200GB174D

 5.1. Size:713K  semikron
 skm200gb124d.pdf pdf_icon

SKM200GB174D

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SKM200GAR123D , SKM200GAR173D , SKM200GAX173D , SKM200GAY173D , SKM200GB063D , SKM200GB123D , SKM200GB124D , SKM200GB173D , IXGH60N60 , SKM200GBD123D1S , FGH50N6S2D , SKM22GD123D , SKM300GA123D , SKM300GA173D , SKM300GAL063D , SKM300GAL123D , SKM300GAR063D .

History: ISL9V3036S3S | 2MBI200TA-060 | 2MBI1200U4G-120 | 2MBI1200U4G-170 | IXYP20N65B3D1 | IQGB228N120GB4

 

 
Back to Top

 


 
.