SKM500GA123S Todos los transistores

 

SKM500GA123S - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SKM500GA123S
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 3000 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 500 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.5 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 170 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 4000 pF
   Paquete / Cubierta: MODULE
     - Selección de transistores por parámetros

 

SKM500GA123S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:605K  semikron
skm500ga123s.pdf pdf_icon

SKM500GA123S

 3.1. Size:596K  semikron
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SKM500GA123S

 4.1. Size:582K  semikron
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SKM500GA123S

 5.1. Size:553K  semikron
skm500ga174d.pdf pdf_icon

SKM500GA123S

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History: MMG75WD120XB6T4N | DAHF100G120SA | MMG400D120UA6TC

 

 
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