SKM500GA123S - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: SKM500GA123S
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3000 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 500 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.5 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 170 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 4000 pF
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для SKM500GA123S
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
SKM500GA123S даташит
Другие IGBT... SKM400GAR124D , SKM400GB062D , SKM400GB123D , SKM400GB124D , SKM40GD123D , SKM40GD124D , SKM40GDL123D , SKM500GA123D , SGH80N60UFD , SKM500GA124D , SKM500GA174D , SKM50GAL123D , SKM50GB063D , SKM50GB123D , SKM50GD063DL , SKM50GDL063DL , SKM50GH063DL .
History: SM2G150US120 | SM2G100US60 | SKM75GD123D | 6MBP30VAA060-50 | SKM75GB173D | MG50Q6ES40
History: SM2G150US120 | SM2G100US60 | SKM75GD123D | 6MBP30VAA060-50 | SKM75GB173D | MG50Q6ES40
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
irfb4227 | irfb4110 | tip36c | bd139 transistor | irf840 datasheet | ge10001 | irf830 | irfp450