SKM75GAL063D - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SKM75GAL063D
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 350 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 100 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 50 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 500 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 180 nC
Paquete / Cubierta: MODULE
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SKM75GAL063D Datasheet (PDF)
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History: RJP60F5DPK | IXGN50N60BD2 | AIKQ100N60CT | 1MBI150NH-060 | MKI75-12E8 | MII100-12A3
History: RJP60F5DPK | IXGN50N60BD2 | AIKQ100N60CT | 1MBI150NH-060 | MKI75-12E8 | MII100-12A3
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