SKM75GAL063D Todos los transistores

 

SKM75GAL063D - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SKM75GAL063D
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 350 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 100 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 50 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 500 pF
   Paquete / Cubierta: MODULE
     - Selección de transistores por parámetros

 

SKM75GAL063D Datasheet (PDF)

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History: APT15GP90K | MMG200D120B6UC | DM2G150SH6NE | CM50YE13-12H | CM600DXL-24S | RJP60F5DPK | CM100RL-24NF

 

 
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