Справочник IGBT. SKM75GAL063D

 

SKM75GAL063D Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SKM75GAL063D
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 350 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 50 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 500 pF
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

SKM75GAL063D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:786K  semikron
 skm75gal063d.pdf pdf_icon

SKM75GAL063D

 6.1. Size:538K  semikron
 skm75gal123d.pdf pdf_icon

SKM75GAL063D

 7.1. Size:786K  semikron
 skm75gar063d.pdf pdf_icon

SKM75GAL063D

 8.1. Size:684K  semikron
 skm75gd123d.pdf pdf_icon

SKM75GAL063D

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SKM500GA124D , SKM500GA174D , SKM50GAL123D , SKM50GB063D , SKM50GB123D , SKM50GD063DL , SKM50GDL063DL , SKM50GH063DL , CRG40T60AK3HD , SKM75GAL123D , BRG60N65D , SKM75GB063D , SKM75GB123D , SKM75GB124D , SKM75GB173D , SKM75GD123D , SKM75GD124D .

History: FGH40T65SHD-F155 | CM600DXL-24S | CM100RL-24NF | CM50YE13-12H | DM2G150SH6NE | IQAB50N60D1 | MMG200D120B6UC

 

 
Back to Top

 


 
.