Справочник IGBT. SKM75GAL063D

 

SKM75GAL063D Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SKM75GAL063D
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 350 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 50 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 500 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 180 nC
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для SKM75GAL063D

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SKM75GAL063D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:786K  semikron
 skm75gal063d.pdf pdf_icon

SKM75GAL063D

 6.1. Size:538K  semikron
 skm75gal123d.pdf pdf_icon

SKM75GAL063D

 7.1. Size:786K  semikron
 skm75gar063d.pdf pdf_icon

SKM75GAL063D

 8.1. Size:684K  semikron
 skm75gd123d.pdf pdf_icon

SKM75GAL063D

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SKM500GA124D , SKM500GA174D , SKM50GAL123D , SKM50GB063D , SKM50GB123D , SKM50GD063DL , SKM50GDL063DL , SKM50GH063DL , SGP30N60 , SKM75GAL123D , BRG60N65D , SKM75GB063D , SKM75GB123D , SKM75GB124D , SKM75GB173D , SKM75GD123D , SKM75GD124D .

History: MMG200DR060DE | F3L400R07PE4_B26 | SKM400GA123D | IKW50N65F5A | F3L300R12ME4_B22 | STGP30H60DF

 

 
Back to Top

 


 
.