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SKM75GAL123D - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SKM75GAL123D
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 460 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 75 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.5 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 56 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 500 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 500 nC
   Paquete / Cubierta: MODULE
 

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SKM75GAL123D Datasheet (PDF)

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History: 1MBC10D-060 | STGB18N40LZT4 | MG1250H-XN2MM | 2M410A | IXGT4N250C | DM2G200SH12A | MM25G120B

 

 
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