Справочник IGBT. SKM75GAL123D

 

SKM75GAL123D Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SKM75GAL123D
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 460 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.5 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 56 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 500 pF
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для SKM75GAL123D

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SKM75GAL123D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:538K  semikron
 skm75gal123d.pdf pdf_icon

SKM75GAL123D

 6.1. Size:786K  semikron
 skm75gal063d.pdf pdf_icon

SKM75GAL123D

 7.1. Size:786K  semikron
 skm75gar063d.pdf pdf_icon

SKM75GAL123D

 8.1. Size:684K  semikron
 skm75gd123d.pdf pdf_icon

SKM75GAL123D

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SKM500GA174D , SKM50GAL123D , SKM50GB063D , SKM50GB123D , SKM50GD063DL , SKM50GDL063DL , SKM50GH063DL , SKM75GAL063D , STGB10NB37LZ , BRG60N65D , SKM75GB063D , SKM75GB123D , SKM75GB124D , SKM75GB173D , SKM75GD123D , SKM75GD124D , SKM75GDL123D .

History: STGB20H60DF | SKM150GB12VG | NCE60TD60BT | VS-GB50LP120N | DIM800NSM33-F | SRE50N065FSUD6 | APT15GP60KG

 

 
Back to Top

 


 
.