SMBH1G200US60 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SMBH1G200US60
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 200 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 100 nS
Encapsulados: 7PM-BB
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SMBH1G200US60 datasheet
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Otros transistores... SM2G50US60 , SM2G75US120 , SM2G75US60 , SMBH1G100US120 , SMBH1G100US60 , SMBH1G150US120 , SMBH1G150US60 , SMBH1G200US120 , IKW40N65WR5 , SMBH1G300US60 , SMBH1G400US60 , SMBH1G50US120 , SMBH1G50US60 , SMBH1G75US120 , SMBH1G75US60 , SMBL1G100US120 , SMBL1G100US60 .
History: SKM400GA123D
History: SKM400GA123D
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