SMBH1G200US60 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: SMBH1G200US60
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 200 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 100 nS
Тип корпуса: 7PM-BB
Аналог (замена) для SMBH1G200US60
SMBH1G200US60 Datasheet (PDF)
No PDF!
Другие IGBT... SM2G50US60 , SM2G75US120 , SM2G75US60 , SMBH1G100US120 , SMBH1G100US60 , SMBH1G150US120 , SMBH1G150US60 , SMBH1G200US120 , IKW40N65WR5 , SMBH1G300US60 , SMBH1G400US60 , SMBH1G50US120 , SMBH1G50US60 , SMBH1G75US120 , SMBH1G75US60 , SMBL1G100US120 , SMBL1G100US60 .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
tip42c transistor | c1815 transistor datasheet | mj15003 | 2sa1015 | ksc3503 | c945 transistor datasheet | bt137 datasheet | 2n2907a datasheet