1MB05D-120 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 1MB05D-120
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 100 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 9 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.5 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 600 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 150 pF
Paquete / Cubierta: TO3P
Búsqueda de reemplazo de 1MB05D-120 IGBT
1MB05D-120 Datasheet (PDF)
1mb05d-120.pdf
Fuji Discrete Package IGBT n Outline Drawingnn Featuresn Square RBSOA Low Saturation Voltage Less Total Power Dissipation Minimized Internal Stray Inductancen Applicationsn High Power Switching A.C. Motor Controls D.C. Motor Controls Uninterruptible Power Supplyn Maximum Ratings and Characteristics n Equivalent Circuitn n Absolute Maxim
1mb05-120.pdf
Fuji Discrete Package IGBT n Outline Drawingnn Featuresn Square RBSOA Low Saturation Voltage Less Total Power Dissipation Minimized Internal Stray Inductancen Applicationsn High Power Switching A.C. Motor Controls D.C. Motor Controls Uninterruptible Power Supplyn Maximum Ratings and Characteristics n Equivalent Circuitn n Absolute Maxim
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History: IXDR30N120
History: IXDR30N120
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