Справочник IGBT. 1MB05D-120

 

1MB05D-120 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: 1MB05D-120
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 9 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.5 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 8.5 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 600 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 150 pF
   Тип корпуса: TO3P
 

 Аналог (замена) для 1MB05D-120

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

1MB05D-120 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:214K  fuji
 1mb05d-120.pdf pdf_icon

1MB05D-120

Fuji Discrete Package IGBT n Outline Drawingnn Featuresn Square RBSOA Low Saturation Voltage Less Total Power Dissipation Minimized Internal Stray Inductancen Applicationsn High Power Switching A.C. Motor Controls D.C. Motor Controls Uninterruptible Power Supplyn Maximum Ratings and Characteristics n Equivalent Circuitn n Absolute Maxim

 9.1. Size:194K  fuji
 1mb05-120.pdf pdf_icon

1MB05D-120

Fuji Discrete Package IGBT n Outline Drawingnn Featuresn Square RBSOA Low Saturation Voltage Less Total Power Dissipation Minimized Internal Stray Inductancen Applicationsn High Power Switching A.C. Motor Controls D.C. Motor Controls Uninterruptible Power Supplyn Maximum Ratings and Characteristics n Equivalent Circuitn n Absolute Maxim

Другие IGBT... TGHP75N120F2D , TGHP75N120FDR , TGL75N120FDR , TGPF15N60FDR , TGPF20N60FDR , TGH80N65F2D2 , 1MB03D-120 , 1MB05-120 , IXGH60N60 , 1MB08-120 , 1MB08D-120 , 1MB10-120 , 1MB10D-120 , 1MB15D-060 , 1MB20-060 , 1MB20D-060 , 1MB30-060 .

History: IRGP4062D-EPBF | SKM75GD124D

 

 
Back to Top

 


 
.